
SigOFIT 光隔离探头
基于独家 SigOFIT™ 技术的光隔离探头,拥有极高的共模抑制比
和隔离电压,在其带宽范围内洞见信号的全部真相,是判定其他
电压探头所测信号真实性的终极裁判。此外,SigOFIT光隔离探头
采用先进的激光供电技术,完美解决了隔离供电的问题。
带宽:DC-1GHz 共模电压: 60kVpk
直流增益精度:1% 共模抑制比:高达180dB

最真实的信号呈现
SigOFIT光隔离探头具有极高的共模抑制比,在100MHz时CMRR高达128dB、在1GHz时CMRR仍然高达108dB,是判定其他电压探头所测信号真实性的终极裁判。

极高的测试精度与稳定性
作为判定其他电压探头所测信号真实性的终极裁判,测试精度是SigOFIT光隔离探头的重要指标。SigOFIT光隔离探头,具有极佳的幅频特性,直流增益精度优于1%,底噪小于0.45mVrms,预热5min后零点漂移小于0.1%,增益漂移小于1%。

第三代半导体的最佳测试手段
第三代半导体器件由于导通与关断时间很短,信号具有更快的上升沿和下降沿,信号中具有很高能量的高频谐波,SigOFIT光隔离探头在最高带宽时,仍然具有超100dB的共模抑制比,可以近乎完美地抑制高频共模噪声所产生的震荡,所呈现的信号没有额外多余成分,是第三代半导体测试的不二之选。

测试氮化镓(GaN)不炸管
SigOFIT光隔离探头测试引线短且采用同轴传输,探头输入电容小于2.5pF,测试氮化镓(GaN)十分安全。

使用灵活
SigOFIT光隔离探头比传统高压差分探头体积更小,探头引线更精巧,使用更加灵活方便。

测试量程更宽
不同于高压差分探头只可以测试高压信号,SigOFIT光隔离探头通过匹配不同的衰减器,可以测试±0.1V至±5000V的差模信号,并实现满量程输出,达到很高的信噪比。

高效便捷
SigOFIT光隔离探头响应快,上电即测,校准时间小于1秒,可实时保证精确的信号输出。

应用场景
对其他电压探头所测结果准确性、真实性存在质疑时,SigOFIT光隔离探头可作为最终裁判依据。
电源设备评估、电流并联测量、EMI 和 ESD 故障排除
电机驱动设计、功率转换器设计 、电子镇流器设计
氮化镓、碳化硅、IGBT半/全桥设备的设计与分析
高压高带宽测试应用的安全隔离测试
逆变器、UPS及开关电源的测试
宽电压、宽带测试应用
各种浮地测试
最真实的信号呈现
SigOFIT光隔离探头具有极高的共模抑制比,在100MHz时CMRR高达128dB、在1GHz时CMRR仍然高达108dB,是判定其他电压探头所测信号真实性的终极裁判。
极高的测试精度与稳定性
作为判定其他电压探头所测信号真实性的终极裁判,测试精度是SigOFIT光隔离探头的重要指标。SigOFIT光隔离探头,具有极佳的幅频特性,直流增益精度优于1%,底噪小于0.45mVrms,预热5min后零点漂移小于0.1%,增益漂移小于1%。
第三代半导体的最佳测试手段
第三代半导体器件由于导通与关断时间很短,信号具有更快的上升沿和下降沿,信号中具有很高能量的高频谐波,SigOFIT光隔离探头在最高带宽时,仍然具有超100dB的共模抑制比,可以近乎完美地抑制高频共模噪声所产生的震荡,所呈现的信号没有额外多余成分,是第三代半导体测试的不二之选。
测试氮化镓(GaN)不炸管
SigOFIT光隔离探头测试引线短且采用同轴传输,探头输入电容小于2.5pF,测试氮化镓(GaN)十分安全。
使用灵活
SigOFIT光隔离探头比传统高压差分探头体积更小,探头引线更精巧,使用更加灵活方便。
测试量程更宽
不同于高压差分探头只可以测试高压信号,SigOFIT光隔离探头通过匹配不同的衰减器,可以测试±0.1V至±5000V的差模信号,并实现满量程输出,达到很高的信噪比。
高效便捷
SigOFIT光隔离探头响应快,上电即测,校准时间小于1秒,可实时保证精确的信号输出。
应用场景
对其他电压探头所测结果准确性、真实性存在质疑时,SigOFIT光隔离探头可作为最终裁判依据。
电源设备评估、电流并联测量、EMI 和 ESD 故障排除
电机驱动设计、功率转换器设计 、电子镇流器设计
氮化镓、碳化硅、IGBT半/全桥设备的设计与分析
高压高带宽测试应用的安全隔离测试
逆变器、UPS及开关电源的测试
宽电压、宽带测试应用
各种浮地测试
产品参数表
*注:MOIP为专业版,激光供电。
产品参数表
*注:MOIP为专业版,激光供电。