第三代SigOFIT 光隔离探头 SigOFIT光隔离探头

麦科信 (Micsig) 第三代光隔离探头MOIP系列，带宽覆盖200MHz-1GHz，支持测量±0.01V至±20kV差模信号。基于独家SigOFIT™光隔离技术，MOIP系列在100MHz时共模抑制比高达128dB，隔离电压85kV，底噪低至0.3mVrms，是判定其他电压探头所测信号真实性的终极裁判。

第三代MOIP系列搭配独家ADHOMT模数混合激光调制技术，真正实现零温漂、免校准、开机即用、无需预热，并支持 24 小时连续稳定输出，测量精度优于1%。同时支持0dB/20dB双量程切换，有效提升信噪比；输入电容最低仅1pF，适用于SiC/GaN栅极驱动、高压高频功率测试等挑战性场景，且衰减器与光纤长度均支持定制。

最真实的信号呈现

SigOFIT光隔离探头具有极高的共模抑制比，在200MHz时CMRR高达122dB、在1GHz时CMRR仍然高达108dB，是判定其他电压探头所测信号真实性的终极裁判。

测试过程无需校准

第三代光隔离探头基于模拟和数字混合光调制技术，可以实时监测探头核心工作状态（涵盖温度、信号特征、光纤抖动等），通过特定软件算法对光功率进行实时调制，在不需要人工校准的情况下，保证探头在各种复杂工作场景都能 24 小时不间断地输出最真实的信号。

极高的测试精度与稳定性

作为判定其他电压探头所测信号真实性的终极裁判，测试精度是SigOFIT光隔离探头的重要指标。SigOFIT光隔离探头，具有极佳的幅频特性，直流增益精度优于1%，底噪小于0.3mVrms，开机即用，无需预热，免校准，增益漂移小于1%。

第三代半导体的最佳测试手段

第三代半导体器件由于导通与关断时间很短，信号具有更快的上升沿和下降沿，信号中具有很高能量的高频谐波，SigOFIT光隔离探头在最高带宽时，仍然具有超100dB的共模抑制比，可以近乎完美地抑制高频共模噪声所产生的震荡，所呈现的信号没有额外多余成分，是第三代半导体测试的不二之选。

测试氮化镓（GaN）不炸管

SigOFIT光隔离探头测试引线短且采用同轴传输，探头输入电容最小仅1pF，测试氮化镓（GaN）十分安全。

使用灵活，高效便捷

SigOFIT光隔离探头比传统高压差分探头体积更小，探头引线更精巧，使用更加灵活方便；探头响应快，上电即测，校准时间小于1秒，校准时，无需断开测试连接，可实时保证精确的信号输出。

真正光隔离技术

用激光传输信号+用激光传输电能，无需电池供电与反复充电，摆脱续航限制与电源噪声干扰。供电更纯净、波形更稳定，可轻松满足 7×24 小时连续高精度测试需求，避免传统电池方案因电量不足、中途断电导致测试中断，大幅提升测试连续性与使用体验。

测试量程更宽

不同于高压差分探头只可以测试高压信号，SigOFIT光隔离探头通过匹配不同的衰减器，可以测试±0.01V至±20kV的差模信号，并实现满量程输出，达到很高的信噪比。

应用场景

对其他电压探头所测结果准确性、真实性存在质疑时，SigOFIT光隔离探头可作为最终裁判依据。

母线高压、原边 MOS、变压器原边高压、高频 LLC、OBC、直流快充
电源设备评估、电流并联测量、EMI 和 ESD 故障排除
双脉冲、SiC、GaN、IGBT半/全桥设备的设计与分析
反激、正激拓扑、三相逆变桥、车载800V 高压平台
电机驱动设计、功率转换器设计 、电子镇流器设计
高压高带宽测试应用的安全隔离测试
逆变器、UPS及开关电源的测试
宽电压、宽带测试应用
各种浮地测试