新闻中心

ADC 位数决定量化级数，系统噪声决定这些级数能否兑现。本文以 5 V/div、40 V 满屏容纳 30 V 关断过冲为例，测算 8 位与 12 位在小信号上的码数差异，并用 ENOB 说明噪声如何吞掉多出的位数；随后介绍麦科信硬件 12 位示波器与 MOIP 光隔离探头如何在两端同时补齐。

开关电源研发中，失真波形会导致环路补偿、振铃评估与 EMI 溯源的误判。本文对比高压差分探头与麦科信 SigOFIT™ 光隔离探头（DC CMRR 180 dB、带宽 1.2 GHz、输入电容低至 1 pF）在三类核心测试中的表现，并以消费电子、通信/工业、服务器电源三档成本模型测算：新增投入普遍可在 3 个月内通过减少研发试错回本。

800V SiC 电驱平台下，高压差分探头波形失真易造成误判与桥臂器件损毁。本文对比两类探头在关断尖峰、桥臂串扰、共模 dv/dt 等典型场景的表现，并从设备损毁、标定工时、BOM 冗余与整车能耗四个维度测算：光隔离探头通常 3 个月内即可回本。

GaN/SiC 设计中，光隔离探头贵在架构、省在误判。本文拆解宽禁带测量的三大难点（带宽、共模抑制比、输入电容），对比双脉冲测试、动态 RDS(on) 与失效分析三类典型场景下的误判代价，并算清差价回本周期：最短约 3 个月。

带宽不是越大越好。本文从 -3dB 定义、0.35/带宽上升时间法则、方波 5 次谐波、带宽与采样率匹配、带宽与底噪权衡五方面，给出一套可落地的示波器带宽选型方法，并以麦科信 MHO 系列高分辨率示波器为例说明如何“够用且匹配”。

SiC/GaN 器件开关进入纳秒级，Vgs 测不准会让优化无从下手。本文拆解浮地栅极单端测量、只看直流 CMRR、忽视输入电容、乱选衰减档位、混淆引脚端与芯片内部栅压五大误区，并结合 Micsig 第三代 SigOFIT 光隔离探头 MOIP 系列给出可落地的测量对策。

麦科信（Micsig）发布 CP 系列电流探头双子星：CP5005 与 CP1503B。CP5005 以 500 Arms/750 Apk 大电流量程与 20 mm 大钳口成为系列量程之最，无需断开回路即可钳测母线与相线，带宽 5 MHz、上升时间 ≤70 ns，兼顾小信号观测与大电流瞬态分析；CP1503B 以 DC~150 MHz 刷新系列带宽纪录，上升时间 ≤2.67 ns，分辨率达 1 mA，专为 GaN/SiC 栅极驱动电流与高频纹波测量打造。两款探头一键消磁/自动调零、底噪极低、标准 BNC 接口兼容全品牌示波器，配合麦科信高分辨率示波器，构成从 1 mA 到 500 Arms 的完整电流测量方案。

麦科信（Micsig）发布旗舰光隔离探头 MOIP1200P，基于独家第三代 SigOFIT™ 光隔离技术，实现 1.2 GHz 系列最高带宽、≤350 ps 上升时间，精准捕捉 SiC、GaN 第三代功率半导体纳秒级开关边沿。高达 180 dB 共模抑制比（1.2 GHz 下仍保有 106 dB）、85 kVpk 共模电压与 1 pF 输入电容，保障高压浮地测试安全；±0.01 V 至 ±20 kV 差模范围、<0.45 mVrms 超低底噪、零温漂免校准设计，支持 365×24 小时不间断测试。标准 BNC 接口兼容所有品牌示波器，配合麦科信高分辨率示波器，构建高压隔离测量完整方案。

SiC/GaN 时代，开关速度进入纳秒级、电流达千安级，电流测量成为功率器件测试的瓶颈。本文系统对比罗氏线圈（无磁饱和、千安级瞬态首选）、同轴分流器（0.1%精度基准）、高频交直流电流探头（钳式通用便捷）三种手段的原理、优劣与适用边界，给出六类典型场景选型路径，并推荐麦科信 RCP + CP + MOIP + MHO6 完整测量方案。