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SigOFIT光隔离探头
SigOFIT 光隔离探头

SigOFIT 光隔离探头 OIP B 系列（电池供电)

带宽：200MHz-1GHz
共模电压： 85kVpk
直流增益精度：1%
共模抑制比：高达180dB

sales@micsig.com

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最真实的信号呈现

SigOFIT光隔离探头具有极高的共模抑制比，在200MHz时CMRR高达122dB、在1GHz时CMRR仍然高达108dB，是判定其他电压探头所测信号真实性的终极裁判。

极高的测试精度与稳定性

作为判定其他电压探头所测信号真实性的终极裁判，测试精度是SigOFIT光隔离探头的重要指标。SigOFIT光隔离探头，具有极佳的幅频特性，直流增益精度优于1%，底噪小于1.46mVrms，预热后零点漂移小于500μV。

第三代半导体的最佳测试手段

第三代半导体器件由于导通与关断时间很短，信号具有更快的上升沿和下降沿，信号中具有很高能量的高频谐波，SigOFIT光隔离探头在最高带宽时，仍然具有超100dB的共模抑制比，可以近乎完美地抑制高频共模噪声所产生的震荡，所呈现的信号没有额外多余成分，是第三代半导体测试的不二之选。

测试氮化镓（GaN）不炸管

SigOFIT光隔离探头测试引线短且采用同轴传输，探头输入电容低至2.6pF，测试氮化镓（GaN）十分安全。

使用灵活，高效便捷

SigOFIT光隔离探头比传统高压差分探头体积更小，探头引线更精巧，使用更加灵活方便；探头响应快，上电即测，校准时间小于1秒，可实时保证精确的信号输出。

测试量程更宽

不同于高压差分探头只可以测试高压信号，SigOFIT光隔离探头通过匹配不同的衰减器，可以测试±1.25V至±5000V的差模信号，并实现满量程输出，达到很高的信噪比。

应用场景

对其他电压探头所测结果准确性、真实性存在质疑时，SigOFIT光隔离探头可作为最终裁判依据。

电源设备评估、电流并联测量、EMI 和 ESD 故障排除

电机驱动设计、功率转换器设计、电子镇流器设计

氮化镓、碳化硅、IGBT半/全桥设备的设计与分析

高压高带宽测试应用的安全隔离测试

逆变器、UPS及开关电源的测试

宽电压、宽带测试应用

各种浮地测试

型号	OIP1000B	OIP500B	OIP350B	OIP200B
带宽	1GHz	500MHz	350MHz	200MHz
上升时间	≤450ps	≤800ps	≤1ns	≤1.5ns
共模抑制比	DC: 180dB 1GHz: 108dB	DC: 180dB 500MHz: 114dB	DC: 180dB 200MHz: 118dB	DC: 180dB 200MHz: 122dB
差模电压	±20kV
底噪	<0.3mVrms
直流增益精度	1%
共模电压	85kVpk