实验室到IEEE：麦科信探头助力高校科研测试

随着新能源汽车、储能系统和高功率电力电子的快速发展，SiC MOSFET等第三代半导体器件广泛应用。更高的开关速度和功率密度为行业带来了新的机遇，同时也对测试仪器提出了更严苛的要求。

近期，多项研究成果发表于IEEE期刊上的研究团队，都不约而同的选择了麦科信高压隔离探头和光隔离探头完成关键波形测量，为实验数据分析和研究结论验证提供测试支撑。

• 主动栅极驱动技术研究

《An Oscillation-Free Active Gate Driver with Self-Adaptive Overshoot Control for SiC MOSFETs》研究中，团队提出一种具备自适应过冲控制能力的主动栅极驱动方案，通过调节栅极电流实现过冲抑制与振荡消除。论文分别在600V/50A、100A及200A等工况下进行了大量实验验证。

实验过程中，研究团队开展了双脉冲测试（DPT）和多脉冲测试（MPT），对不同驱动策略下的Vds和Vgs波形进行分析。测试平台采用麦科信DP1502高压隔离探头和MOIP200P光隔离探头完成关键电压波形测量，为驱动策略评估提供了实验依据。

论文内容引用自《An Oscillation-Free Active Gate Driver with Self-Adaptive Overshoot Control for SiC MOSFETs》

• SiC MOSFET关断过程测量研究

《SiC MOSFET Turn-off Measurement with Air-Core Inductor Design and RC Snubber Correction》研究中，研究人员重点关注SiC MOSFET关断过程中寄生参数对测量结果的影响。

剖析了上述两类寄生参数影响关断测试结果的内在机理，随后提出一套负载电感优化设计方案与关断电流精准测试方法，以实现高精度关断特性测试。

论文内容引用自《SiC MOSFET Turn-off Measurement with Air-Core Inductor Design and RC Snubber Correction》

• SiC器件动态特性实验验证

另一项SiC器件动态测试研究中，研究团队同样围绕器件开关过程中的瞬态特性开展实验验证，通过测量栅源电压、漏源电压等关键参数，对器件行为及驱动效果进行评估。

由于相关测试涉及高压隔离测量以及高速动态信号观测，对探头带宽、隔离能力和抗干扰性能提出了较高要求。麦科信探头作为测试链路的重要组成部分，参与完成关键电压信号测量工作。

论文内容引用自《Effect of Voltage Probes on Characterisation of Switching Processes in Wide-bandgap Semiconductor Devices》

对于高速功率器件研究而言，测试数据始终是科研工作的基础，支撑理论分析与实验结论的一致性。

针对功率电子领域常见的高压、高共模、高速开关测量场景，麦科信持续完善高压隔离探头、光隔离探头等产品布局，为高校实验室、科研机构及研发团队提供支持。

未来，麦科信将继续深耕功率电子测试领域，以可靠的测量产品助力科研创新，为更多科研成果从实验验证走向产业应用。