新品发布 | 光隔离探头 MOIP1200P：1.2 GHz 带宽，第三代 SigOFIT™ 技术旗舰
发布时间：2026-09-28
麦科信（Micsig）正式发布基于第三代 SigOFIT™ 光隔离技术的旗舰光隔离探头 MOIP1200P。新品以系列最高带宽登顶 MOIP 系列之首，专为 SiC、GaN 等第三代功率半导体的高压高频测试场景打造，与麦科信高分辨率示波器组合，构建高压浮地隔离测量的完整解决方案。
一、产品概述
SiC、GaN 等第三代功率半导体的开关速度已进入纳秒级，母线电压不断提高，共模干扰愈发严重。传统高压差分探头在带宽、共模抑制与安全性上难以兼顾，而 MOIP1200P 基于麦科信独家 SigOFIT™ 光隔离技术，采用「电—光—电」转换与光纤传输，配合激光供电技术，实现被测端与示波器的完全电气隔离，彻底切断地环路，专为第三代半导体高压高频测试而生。
MOIP1200P 光隔离探头
二、核心优势
• 带宽高达 1.2 GHz，位居 MOIP 系列之首，较 MOIP1000P 进一步提升 20%，上升时间 ≤350 ps，精准捕捉 GaN 器件最快的开关边沿；
• 共模抑制比（CMRR）DC 下高达 180 dB，即便在 1.2 GHz 最高频点仍保有 106 dB，有效抑制高频共模振荡；
• 共模电压高达 85 kVpk，配合短引线与低至 1 pF 的输入电容，可安全测试 GaN 栅极等敏感节点；
• 差模测量范围 ±0.01 V 至 ±20 kV（选配衰减头），底噪低至 <0.45 mVrms，直流增益精度优于 1%；
• ADHOMT 模数混合激光调制技术，零温漂、免人工校准、上电即测，支持 365 天×24 小时不间断测试；
• 标准 BNC 接口，兼容所有品牌示波器。
三、系列参数
MOIP1200P 与 MOIP 系列共同参数表：
第三代光隔离探头 MOIP 系列幅频特性曲线
四、典型应用
覆盖功率器件测试的关键环节：
• SiC/GaN 双脉冲测试：测量半桥浮地开关节点电压，配合电流探头与 MHO6 系高分辨率示波器，12-bit 垂直分辨率保障波形细节，支撑开关损耗精确评估；
• GaN 栅极驱动分析：在高共模抑制下安全测量高边栅极波形，1 pF 低输入电容不扰动敏感栅极节点；
• 逆变器与电驱系统测试：同步测量高压浮地电压节点，母线电压越高越能体现 85 kVpk 共模电压优势；
• 器件可靠性考核：配合功率循环与 HTOL 老化试验台，长时间连续监测器件开关节点波形，免校准、零温漂特性支撑 365 天×24 小时不间断测试。
MOIP 探头典型应用场景
五、购买与咨询
关于 MOIP1200P 的更多产品信息与供货安排，欢迎关注麦科信官网 www.micsig.com.cn，或联系 sales@micsig.com 咨询。
