SigOFIT 光隔离探头 MOIP系列（激光供电）
基于独家SigOFIT™ 技术的光隔离探头，拥有极高的共模
抑制比和隔离电压，在其带宽范围内洞见信号的全部真相，
是判定其他 电压探头所测信号真实性的终极裁判。此外，
SigOFIT光隔离探头采用先进的激光供电技术，完美解决了
隔离供电的问题。
带宽：DC-1GHz 共模电压： 85kVpk
直流增益精度：1% 共模抑制比：高达180dB
最真实的信号呈现
SigOFIT光隔离探头具有极高的共模抑制比，在100MHz时CMRR高达128dB、在1GHz时CMRR仍然高达108dB，是判定其他电压探头所测信号真实性的终极裁判。
极高的测试精度与稳定性
作为判定其他电压探头所测信号真实性的终极裁判，测试精度是SigOFIT光隔离探头的重要指标。SigOFIT光隔离探头，具有极佳的幅频特性，直流增益精度优于1%，底噪小于0.45mVrms，预热5min后零点漂移小于0.1%，增益漂移小于1%。
第三代半导体的最佳测试手段
第三代半导体器件由于导通与关断时间很短，信号具有更快的上升沿和下降沿，信号中具有很高能量的高频谐波，SigOFIT光隔离探头在最高带宽时，仍然具有超100dB的共模抑制比，可以近乎完美地抑制高频共模噪声所产生的震荡，所呈现的信号没有额外多余成分，是第三代半导体测试的不二之选。
测试氮化镓（GaN）不炸管
SigOFIT光隔离探头测试引线短且采用同轴传输，探头输入电容最小仅1pF，测试氮化镓（GaN）十分安全。
使用灵活，高效便捷
SigOFIT光隔离探头比传统高压差分探头体积更小，探头引线更精巧，使用更加灵活方便；探头响应快，上电即测，校准时间小于1秒，校准时，无需断开测试连接，可实时保证精确的信号输出。
真正光隔离技术
用激光传输信号+用激光传输电能（不用电池，电源更纯净），可365天不间断测试。
测试量程更宽
不同于高压差分探头只可以测试高压信号，SigOFIT光隔离探头通过匹配不同的衰减器，可以测试±0.01V至±6250V的差模信号，并实现满量程输出，达到很高的信噪比。
应用场景
对其他电压探头所测结果准确性、真实性存在质疑时，SigOFIT光隔离探头可作为最终裁判依据。
电源设备评估、电流并联测量、EMI 和 ESD 故障排除
电机驱动设计、功率转换器设计 、电子镇流器设计
氮化镓、碳化硅、IGBT半/全桥设备的设计与分析
高压高带宽测试应用的安全隔离测试
逆变器、UPS及开关电源的测试
宽电压、宽带测试应用
各种浮地测试
最真实的信号呈现
SigOFIT光隔离探头具有极高的共模抑制比，在100MHz时CMRR高达128dB、在1GHz时CMRR仍然高达108dB，是判定其他电压探头所测信号真实性的终极裁判。
极高的测试精度与稳定性
作为判定其他电压探头所测信号真实性的终极裁判，测试精度是SigOFIT光隔离探头的重要指标。SigOFIT光隔离探头，具有极佳的幅频特性，直流增益精度优于1%，底噪小于0.45mVrms，预热5min后零点漂移小于0.1%，增益漂移小于1%。
第三代半导体的最佳测试手段
第三代半导体器件由于导通与关断时间很短，信号具有更快的上升沿和下降沿，信号中具有很高能量的高频谐波，SigOFIT光隔离探头在最高带宽时，仍然具有超100dB的共模抑制比，可以近乎完美地抑制高频共模噪声所产生的震荡，所呈现的信号没有额外多余成分，是第三代半导体测试的不二之选。
测试氮化镓（GaN）不炸管
SigOFIT光隔离探头测试引线短且采用同轴传输，探头输入电容最小仅1pF，测试氮化镓（GaN）十分安全。
使用灵活，高效便捷
SigOFIT光隔离探头比传统高压差分探头体积更小，探头引线更精巧，使用更加灵活方便； 探头响应快，上电即测，校准时间小于1秒，校准时，无需断开测试连接，可实时保证精确的信号输出。
真正光隔离技术
用激光传输信号+用激光传输电能（不用电池，电源更纯净），可365天不间断测试。
测试量程更宽
不同于高压差分探头只可以测试高压信号，SigOFIT光隔离探头通过匹配不同的衰减器，可以测试 ±0.01V至±6250V的差模信号，并实现满量程输出，达到很高的信噪比。
应用场景
对其他电压探头所测结果准确性、真实性存在质疑时，SigOFIT光隔离探头可作为最终裁判依据。
电源设备评估、电流并联测量、EMI 和 ESD 故障排除
电机驱动设计、功率转换器设计 、电子镇流器设计
氮化镓、碳化硅、IGBT半/全桥设备的设计与分析
高压高带宽测试应用的安全隔离测试
逆变器、UPS及开关电源的测试
宽电压、宽带测试应用
各种浮地测试
产品参数表
产品参数表
