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示波器带宽到底怎么选? 一文讲透 3dB 法则、上升时间、采样率与底噪
带宽不是越大越好。本文从 -3dB 定义、0.35/带宽上升时间法则、方波 5 次谐波、带宽与采样率匹配、带宽与底噪权衡五方面,给出一套可落地的示波器带宽选型方法,并以麦科信 MHO 系列高分辨率示波器为例说明如何“够用且匹配”。
2026-09-30
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避坑指南 | Vgs 测量五大误区 ——SiC/GaN 时代,把栅极波形测准再谈优化
SiC/GaN 器件开关进入纳秒级,Vgs 测不准会让优化无从下手。本文拆解浮地栅极单端测量、只看直流 CMRR、忽视输入电容、乱选衰减档位、混淆引脚端与芯片内部栅压五大误区,并结合 Micsig 第三代 SigOFIT 光隔离探头 MOIP 系列给出可落地的测量对策。
2026-09-30
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新品发布 | 麦科信电流探头 CP5005、CP1503B :大电流与高带宽双星登场
麦科信(Micsig)发布 CP 系列电流探头双子星:CP5005 与 CP1503B。CP5005 以 500 Arms/750 Apk 大电流量程与 20 mm 大钳口成为系列量程之最,无需断开回路即可钳测母线与相线,带宽 5 MHz、上升时间 ≤70 ns,兼顾小信号观测与大电流瞬态分析;CP1503B 以 DC~150 MHz 刷新系列带宽纪录,上升时间 ≤2.67 ns,分辨率达 1 mA,专为 GaN/SiC 栅极驱动电流与高频纹波测量打造。两款探头一键消磁/自动调零、底噪极低、标准 BNC 接口兼容全品牌示波器,配合麦科信高分辨率示波器,构成从 1 mA 到 500 Arms 的完整电流测量方案。
2026-09-28
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新品发布 | 光隔离探头 MOIP1200P:1.2 GHz 带宽,第三代 SigOFIT™ 技术旗舰
麦科信(Micsig)发布旗舰光隔离探头 MOIP1200P,基于独家第三代 SigOFIT™ 光隔离技术,实现 1.2 GHz 系列最高带宽、≤350 ps 上升时间,精准捕捉 SiC、GaN 第三代功率半导体纳秒级开关边沿。高达 180 dB 共模抑制比(1.2 GHz 下仍保有 106 dB)、85 kVpk 共模电压与 1 pF 输入电容,保障高压浮地测试安全;±0.01 V 至 ±20 kV 差模范围、<0.45 mVrms 超低底噪、零温漂免校准设计,支持 365×24 小时不间断测试。标准 BNC 接口兼容所有品牌示波器,配合麦科信高分辨率示波器,构建高压隔离测量完整方案。
2026-09-28
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功率器件电流测量"三驾马车" 罗氏线圈 vs 同轴分流器 vs 高频电流探头
SiC/GaN 时代,开关速度进入纳秒级、电流达千安级,电流测量成为功率器件测试的瓶颈。本文系统对比罗氏线圈(无磁饱和、千安级瞬态首选)、同轴分流器(0.1%精度基准)、高频交直流电流探头(钳式通用便捷)三种手段的原理、优劣与适用边界,给出六类典型场景选型路径,并推荐麦科信 RCP + CP + MOIP + MHO6 完整测量方案。
2026-09-01
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AI算力时代高速功率测试:麦科信 SigOFIT™ MOIP光隔离探头在数据中心电源与功率半导体测试中的应用
AI算力爆发推动数据中心电源向高功率密度、高效率、快动态响应演进,SiC/GaN 功率半导体的高速开关给测试带来高共模电压、高 dv/dt、快速开关边沿等挑战。麦科信 SigOFIT™ 第三代 MOIP 光隔离探头采用电-光-电隔离架构与 ADHOMT 模数混合激光调制技术,提供 200MHz–1.2GHz 带宽、最高 108dB@1GHz CMRR、低至 1pF 输入电容、自动校准与灵活衰减器配置,为 AI 电源系统与 SiC/GaN 功率半导体测试提供专业测量方案。
2026-09-01
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一文读懂 MO3 系列高分辨率模块化示波器
麦科信 MO3 系列高分辨率模块化示波器:12 位 ADC、≤85 μVrms 低底噪、360 Mpts 深存储,30 mm 超薄机身支持多机同步扩展至 128 路采集。内置 CAN、SPI、I²C、1553B 等协议解码,支持 HDMI 直连与 SCPI/API 二次开发,是电源纹波、功率电子、嵌入式总线与自动化测试的理想之选。
2026-09-01
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