最真实的信号呈现

由于具有极高的共模抑制比和隔离电压、全量程范围内最大1.41mVrms底噪、优于1% 的测量精度，OIP系列光隔离探头在带宽和精度范围内能最真实地呈现信号全部特征，是判定其他电压探头所测信号真实性的终极裁判。

第三代半导体的最佳测试手段

第三代半导体器件由于导通与关断时间很短，信号具有更快的上升沿和下降沿，信号中具有很高能量的高频谐波，OIP系列光隔离探头在最高带宽时，仍然具有近100dB的共模抑制比，可以近乎完美地抑制高频共模噪声所产生的震荡，所呈现的信号没有额外多余成分，是第三代半导体测试的不二之选。

测试氮化镓（GaN）不炸管

OIP系列光隔离探头测试引线短且采用同轴传输，探头输入电容小于3pF，测试氮化镓（GaN）十分安全（当器件工作参数已经处于炸管临界状态时，接上测试设备会多出近3pF电容，不能保证绝对安全）。

使用灵活

OIP系列光隔离探头比传统高压差分探头体积更小，探头引线更精巧，使用更加灵活方便。

测试量程更宽

不同于高压差分探头只可以测试高压信号，OIP系列光隔离探头匹配不同的衰减器，可以测试±2.5V至±2500V的差模信号，并实现满量程输出，达到很高的信噪比。

高效便捷

OIP系列光隔离探头响应快，上电即测，无需预热等待，校准时间小于1秒，可实时保证精确的信号输出。

应用场景

对其他电压探头所测结果准确性、真实性存在质疑时，OIP系列光隔离探头可作为最终裁判依据，尤其是下列技术领域：

氮化镓、碳化硅、IGBT半/全桥设备的设计与分析

逆变器、UPS及开关电源的测试

高压高带宽测试应用的安全隔离测试

宽电压、宽带测试应用

各种浮地测试

电机驱动设计、功率转换器设计 、电子镇流器设计

电源设备评估、电流并联测量、EMI 和 ESD 故障排除